廣東加快推動光芯片産(chǎn)業創新(xīn)發展，明确26項行動重點

來源:南方網      作(zuò)者:    發布時間：2024-10-21

10月21日，廣東省人民(mín)政府辦(bàn)公(gōng)廳印發《廣東省加快推動光芯片産(chǎn)業創新(xīn)發展行動方案（2024—2030年）》（下稱“《行動方案》”），明确力争到2030年，廣東取得10項以上光芯片領域關鍵核心技(jì )術突破，打造10個以上“拳頭”産(chǎn)品，培育10家以上具(jù)有(yǒu)國(guó)際競争力的一流領軍企業，建設10個左右國(guó)家和省級創新(xīn)平台。

據了解，光芯片是實現光電(diàn)信号轉換的基礎元器件，相較于集成電(diàn)路，展現出更低的傳輸損耗、更寬的傳輸帶寬、更小(xiǎo)的時間延遲以及更強的抗電(diàn)磁幹擾能(néng)力，有(yǒu)望帶動半導體(tǐ)産(chǎn)業變革式發展，有(yǒu)力支撐新(xīn)一代網絡通信、人工(gōng)智能(néng)、智能(néng)網聯汽車(chē)等産(chǎn)業高質(zhì)量發展。

突破關鍵技(jì )術，加快中(zhōng)試轉化

《行動方案》明确，強化光芯片基礎研究和原始創新(xīn)能(néng)力，将鼓勵有(yǒu)條件的企業、高校、科(kē)研院所等圍繞單片集成、光子計算、超高速光子網絡、柔性光子芯片、片上光學(xué)神經網絡等未來前沿科(kē)學(xué)問題開展基礎研究。加大對高速光通信芯片、高性能(néng)光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜铌酸锂材料、磷化铟襯底材料、有(yǒu)機半導體(tǐ)材料、矽光集成技(jì )術、柔性集成技(jì )術、磊晶生長(cháng)和外延工(gōng)藝、核心半導體(tǐ)設備等方向的研發投入力度。加大“強芯”工(gōng)程對光芯片的支持力度，将面向集成電(diàn)路産(chǎn)業底層算法和架構技(jì )術的研發補貼、量産(chǎn)前首輪流片獎補等産(chǎn)業政策，擴展至光芯片設計自動化軟件（PDA工(gōng)具(jù)）、矽光MPW流片等領域。

廣東将支持企業、高校、科(kē)研院所等圍繞高速光通信芯片、高性能(néng)光傳感芯片、紅外光傳感芯片、高性能(néng)通感融合芯片、薄膜铌酸锂、化合物(wù)半導體(tǐ)、矽基（異質(zhì)異構）集成、光電(diàn)混合集成等領域，建設概念驗證中(zhōng)心、研發先導線(xiàn)和中(zhōng)試線(xiàn)。支持中(zhōng)試平台積極發揮效能(néng)。支持中(zhōng)試平台圍繞光芯片相關領域，向中(zhōng)小(xiǎo)企業提供原型制造、質(zhì)量性能(néng)檢測、小(xiǎo)批量試生産(chǎn)、工(gōng)藝放大熟化等系列服務(wù)，推動新(xīn)技(jì )術、新(xīn)産(chǎn)品加快熟化。鼓勵中(zhōng)試平台搭建衆創空間、孵化器、加速器等各類孵化載體(tǐ)，并通過許可(kě)、出售等方式将成熟技(jì )術成果轉讓給企業。

建設創新(xīn)平台，推動産(chǎn)業集聚

廣東将依托企業、高校、科(kē)研院所、新(xīn)型研發機構等各類創新(xīn)主體(tǐ)，布局建設一批光芯片領域共性技(jì )術研發平台，主要聚焦基礎理(lǐ)論研究和新(xīn)興技(jì )術、颠覆性技(jì )術攻關。引進國(guó)内外戰略科(kē)技(jì )力量，培育一批産(chǎn)業創新(xīn)中(zhōng)心、技(jì )術創新(xīn)中(zhōng)心、制造業創新(xīn)中(zhōng)心、企業技(jì )術中(zhōng)心、工(gōng)程研究中(zhōng)心、重點實驗室等創新(xīn)平台，主要聚焦光芯片關鍵細分(fēn)環節。圍繞研發設計、概念驗證、小(xiǎo)試、中(zhōng)試、檢驗檢測、知識産(chǎn)權、人才培養等專業化服務(wù)領域，打造一批促進光芯片産(chǎn)業創新(xīn)發展的公(gōng)共服務(wù)平台。

《行動方案》明确，支持有(yǒu)條件的地市研究出台關于發展光芯片産(chǎn)業的專項規劃，加快引進國(guó)内外光芯片領域高端創新(xīn)資源。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地發揮半導體(tǐ)及集成電(diàn)路産(chǎn)業鏈基礎優勢，加快培育光通信芯片、光傳感芯片等産(chǎn)業集群，打造涵蓋設計、制造、封測等環節的光芯片全産(chǎn)業鏈。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地依托半導體(tǐ)及集成電(diàn)路産(chǎn)業集聚區(qū)，規劃建設各具(jù)特色的光芯片專業園區(qū)。

培育領軍企業，加強協同創新(xīn)

廣東将引進一批彙聚全球資源、在細分(fēn)領域占據引領地位的領軍企業和新(xīn)物(wù)種企業。支持有(yǒu)條件的光芯片企業圍繞産(chǎn)業鏈重點環節進行并購(gòu)整合。探索産(chǎn)學(xué)研協同攻關和産(chǎn)業鏈上下遊聯合攻關，孵化和培育一批科(kē)技(jì )型初創企業。鼓勵半導體(tǐ)及集成電(diàn)路頭部企業發揮産(chǎn)業基礎優勢，延伸布局光芯片相關領域。支持光芯片龍頭企業加大在粵的研發和産(chǎn)線(xiàn)布局，加快形成光芯片産(chǎn)業集群。支持外資光芯片企業布局建設企業技(jì )術中(zhōng)心、工(gōng)程研究中(zhōng)心、工(gōng)程技(jì )術研究中(zhōng)心等各類平台。

《行動方案》指出，廣東積極對接國(guó)家集成電(diàn)路戰略布局，争取一批國(guó)家級光芯片項目落地廣東。加強與香港、澳門高等院校、科(kē)研院所的協同創新(xīn)，對接優質(zhì)科(kē)技(jì )成果、創新(xīn)人才和金融資本。加強與京津冀、長(cháng)三角等國(guó)内先進地區(qū)企業、機構交流合作(zuò)，加強導入優質(zhì)研發資源和産(chǎn)業資源。建立與國(guó)際知名(míng)高校、研發機構、技(jì )術轉移機構等各類創新(xīn)主體(tǐ)的交流合作(zuò)機制。

強鏈補鏈，培育前沿技(jì )術

攻關光芯片關鍵材料裝(zhuāng)備。大力支持矽光材料、化合物(wù)半導體(tǐ)、薄膜铌酸锂、氧化镓薄膜、電(diàn)光聚合物(wù)、柔性基底材料、超表面材料、光學(xué)傳感材料、電(diàn)光拓撲相變材料、光刻膠、石英晶體(tǐ)等光芯片關鍵材料研發制造。大力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長(cháng)設備及光矢量參數網絡測試儀等光芯片關鍵裝(zhuāng)備研發和國(guó)産(chǎn)化替代。大力支持收發模塊、調制器、可(kě)重構光神經網絡推理(lǐ)器、PLC分(fēn)路器、AWG光栅等光器件及光模塊核心部件的研發和産(chǎn)業化。支持矽光集成、異質(zhì)集成、磊晶生長(cháng)和外延工(gōng)藝、制造工(gōng)藝等光芯片相關制造工(gōng)藝研發和持續優化。

加強光芯片設計研發、制造布局和封裝(zhuāng)水平。支持光芯片設計企業圍繞光通信互連收發芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探測芯片、短波紅外有(yǒu)機成像芯片、TOF/FMCW激光雷達芯片、3D視覺感知芯片等領域加強研發和産(chǎn)業化布局。加大基于矽基、鍺基、化合物(wù)半導體(tǐ)、薄膜铌酸锂等平台材料，以及各類材料異質(zhì)異構集成、多(duō)種功能(néng)光電(diàn)融合的光芯片、光模塊及光器件的産(chǎn)線(xiàn)和産(chǎn)能(néng)布局。大力發展片上集成、3D堆疊、光波器件與光芯片的共封裝(zhuāng)（CPO）以及光I/O接口等先進封裝(zhuāng)技(jì )術，緊貼市場需求推動光芯片封裝(zhuāng)測試工(gōng)藝技(jì )術升級和能(néng)力提升。

加強光芯片産(chǎn)品示範應用(yòng)。大力支持光芯片在新(xīn)一代信息通信、數據中(zhōng)心、智算中(zhōng)心、生物(wù)醫(yī)藥、智能(néng)網聯汽車(chē)等産(chǎn)業的場景示範和産(chǎn)品應用(yòng)。培育更多(duō)應用(yòng)場景，加大光芯片産(chǎn)品在信息傳輸、探測、傳感等領域的應用(yòng)，推動相關領域半導體(tǐ)産(chǎn)品升級換代。

圍繞光芯片前沿理(lǐ)論和技(jì )術問題開展基礎攻關和研發布局。支持企業、高校、研究機構等圍繞光神經網絡芯片、光量子芯片、超靈敏光傳感探測芯片、光電(diàn)異質(zhì)異構混合集成芯片、微腔光電(diàn)子芯片、幂次增長(cháng)算力光芯片等技(jì )術領域研發布局，努力實現原理(lǐ)性突破、原始性技(jì )術積累和開創性突破。