8月6日消息,市場研究機構Yole Group公(gōng)布的最新(xīn)報告顯示,得益于人工(gōng)智能(néng)對于存儲芯片及HBM(高帶寬内存)需求的大漲,預計2025年全球存儲芯片市場銷售額将由2023年960億美元增長(cháng)到超2340億美元。預計2023年到2029年間的年複合增長(cháng)率達16%。
報告稱,生成式AI的迅速采用(yòng)極大地推動了數據中(zhōng)心對高級DDR5 DRAM和HBM技(jì )術的需求,同時也引發了對支持AI服務(wù)器的企業級SSD的需求增加。此外,首批配備設備生成式AI功能(néng)的智能(néng)手機和PC正在進入市場。由于大型語言模型的參數規模增長(cháng),這些設備液需要大量容量的内存/存儲,這将進一步推動移動和消費者市場的存儲芯片需求。
Yole Group内存首席分(fēn)析師西蒙娜·貝爾托拉齊(Simone
Bertolazzi)博士表示:“為(wèi)了應對這波人工(gōng)智能(néng)驅動的增長(cháng)浪潮,三星、SK海力士和美光等主要參與者已将其大部分(fēn)晶圓産(chǎn)能(néng)轉向滿足對HBM飙升的需求。這種轉變導緻了整體(tǐ)比特産(chǎn)量的減速,并加速了向非HBM産(chǎn)品供應不足的過渡。2022年底的減産(chǎn)僅在2023年第三季度生效,因為(wèi)OEM庫存水平開始收緊,預示着粗才能(néng)市場的反彈。”
存儲行業現在的複蘇速度比以前預期的要快,收入預測顯示未來幾年将急劇增長(cháng)。到2024年,DRAM的收入預計将激增至980億美元(同比增長(cháng)88%),NAND的收入将激增至680億美元(同比增長(cháng)74%)。預計這些數字将繼續上升,到2025年達到新(xīn)的峰值水平,DRAM市場規模将達1370億美元,NAND市場規模将達到830億美元。在強勁需求的推動下,尤其是來自數據中(zhōng)心的需求,截至2029年的長(cháng)期收入預測預計将進一步增長(cháng),DRAM和NAND的CAGR23-29估計分(fēn)别為(wèi)17%和16%。
在此背景下,市場研究與戰略咨詢公(gōng)司Yole Group發布了其年度市場與技(jì )術報告《2024年存儲行業狀況》,對半導體(tǐ)内存行業進行了最廣泛的概述。在其新(xīn)研究中(zhōng),該公(gōng)司對存儲市場進行了全面的概述。Yole集團的專家全面分(fēn)析市場,呈現最新(xīn)的技(jì )術趨勢,并描述供應鏈和内存生态系統。
Simone Bertolazzi表示:“對專為(wèi)AI訓練和推理(lǐ)而設計的先進計算芯片的需求不斷增長(cháng),加劇了三星、SK海力士和美光等頂級DRAM制造商(shāng)之間的競争。這些公(gōng)司正在積極擴大其尖端HBM3/3E技(jì )術的能(néng)力,并正在迅速推進下一代HBM3E和HBM4産(chǎn)品的開發和驗證。”
目前HBM技(jì )術已成為(wèi)AI系統的關鍵,并且是AI技(jì )術地緣政治格局中(zhōng)的戰略資産(chǎn)。由于美國(guó)的出口限制,中(zhōng)國(guó)被迫獨立開發和制造其HBM技(jì )術,以滿足其對高性能(néng)AI内部HBM的大量需求。
美國(guó)的這些限制措施促使中(zhōng)國(guó)國(guó)内進行了大量投資,并采取了各種舉措來制造這些關鍵芯片。據悉,中(zhōng)國(guó)首批HBM2産(chǎn)品日趨成熟,目前正在接受部分(fēn)客戶的評估,并在内部用(yòng)于服務(wù)器處理(lǐ)單元的開發。盡管落後于全球内存技(jì )術領導者六年多(duō),但中(zhōng)國(guó)公(gōng)司決心繼續參與關鍵的人工(gōng)智能(néng)技(jì )術,并緻力于利用(yòng)廣闊的本地市場開發中(zhōng)低端人工(gōng)智能(néng)加速器。此外,生産(chǎn)采用(yòng)中(zhōng)國(guó)制造的DRAM和NAND和相關模塊的供應商(shāng)數量正在迅速增加,凸顯了對本地生産(chǎn)的半導體(tǐ)存儲設備的迫切需求。